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積溫對(duì)魔芋生長的影響
來源： http://www.ktty36.com/ 類別：技術(shù)文章 更新時(shí)間：2013-06-18 閱讀次
魔芋起源于亞洲熱帶雨林的底層植被，這種生境賦予了魔芋特行的溫度習(xí)性，使魔芋成為一種喜溫暖、忌高溫的作物，對(duì)溫度的變化較為敏感，積溫量直接影響其生長發(fā)育和栽培生產(chǎn)，下面利用積溫儀研究積溫對(duì)魔芋生長的影響。
魔芋球莖在5℃左右開始萌發(fā)。適立發(fā)芽的溫度為20-25℃。高于45℃或低于0℃時(shí)，經(jīng)過5天左右芽即受害死亡。芽在15℃以下牛長緩慢，35℃以上生長迅速，但較纖弱，出葉時(shí)葉呈卷簡狀。魔芋葉片在20-30℃之間生長正常，葉綠素含量最高，光合作用亦為最佳期。低于15℃，葉片變黃，地上部倒伏。35℃時(shí)葉略褪色，葉綠素發(fā)生降解。40℃30小時(shí)、43℃24小時(shí)、45℃2小時(shí)或50℃14時(shí)，葉尖即萎蔫下垂，出現(xiàn)明顯的傷害癥狀。高溫對(duì)魔芋葉片的傷害，表現(xiàn)在葉片細(xì)胞膜透件的變化。在15—35℃范圍內(nèi)，魔芋葉片細(xì)胞電解質(zhì)外滲率變化不太。40℃處理24小時(shí)，細(xì)胞膜透性亦末見明顯變化。但43℃處理8小時(shí)后，葉片細(xì)腦膜透性顯著增加。45℃處理4小時(shí)，透性為62.98％，是對(duì)照的3倍。這說明43℃以上，魔芋葉片細(xì)胞膜極易損傷。
魔芋葉片在45℃和50℃高溫處理0-2小時(shí)，脂質(zhì)過氧化產(chǎn)物丙二醛含量迅速升高。超氧化歧化酶活性迅速下降。說明高溫導(dǎo)致膜質(zhì)過氧化，傷害細(xì)腦膜，破壞體內(nèi)的活性氧清除系統(tǒng)。魔芋球莖發(fā)育最適溫度為22-30℃，晝夜溫差愈大，愈能促進(jìn)干物質(zhì)的積累，增加產(chǎn)量，提高品質(zhì)。由此可知。魔芋葉片在一定程度上可以忍受35-43℃的高溫，但在此溫度條件下，不適于魔芋球莖干物質(zhì)的積累，不利于魔芋的栽培生產(chǎn)。如重慶市在適當(dāng)蔭蔽和保證水分供應(yīng)的條件下，魔芋雖可越過氣溫高達(dá)42℃的炎夏，但閱球莖發(fā)育期間溫度高，晝夜溫差小，魔芋的生長具“花盆效應(yīng)”，愈長愈小。魔芋球莖不耐低溫。0℃以下會(huì)引起細(xì)胞內(nèi)水分結(jié)冰，破壞細(xì)胞的結(jié)構(gòu)，使整個(gè)球莖失去生活力，如2007年冬季南方特大冰雪災(zāi)害就造成種芋的大量損失。因此，在高海拔和高緯度地區(qū)種植魔于時(shí)，要考慮凍土層的厚度。凍土層厚的地區(qū)，魔芋不能簡單露地留地越冬，必須將球莖埋于凍土層以下或采用其他防寒方式保存種芋。
魔芋根系的最適發(fā)育溫度為20-26℃。5℃以下和35℃以上，根系停止生長。綜上所述，魔芋生長最適溫度為20-25℃，適應(yīng)溫度為5-43℃。在魔芋的實(shí)際栽培生長季節(jié)內(nèi)，日平均氣溫低于12℃或高于30℃的地方，都不適宜種植魔芋*口平均氣溫在12.5-30℃的地區(qū)，均適于發(fā)展魔芋生產(chǎn)，其中日平均氣溫在17.5—25℃的地區(qū)，最適宜種植魔芋。不同種的魔芋劉溫度條件要求的高低也不相同。疚鈉魔芋、珠芽魔芋和甜魔芋分邱在滇南低海拔地區(qū)，能耐較高的溫度，是較耐熱的魔中種。白魔芋分布在金沙汀的干熱河谷流域，較花魔芋耐高溫。
由于解除休眠后魔芋在10℃以上則芽開始內(nèi)部活動(dòng)，15℃以上芽萌動(dòng)和伸長。出此魔芋解除休眠后在10℃以上的日積溫總和被稱為魔芋的活動(dòng)積溫，魔芋齊解除休眠后15℃以上的日積溫總和為有效積溫。魔芋對(duì)積溫反應(yīng)較為靈敏，當(dāng)滿足積溫后植株即倒伏，但不同的種對(duì)積溫的適應(yīng)性不完全相同，其反應(yīng)也不一樣。如白魔芋是在金沙江河谷孕臺(tái)的物種，適宜在海拔800米左右的山區(qū)種植，發(fā)芽至例苗需活動(dòng)積溫4863℃，有效積溫為1658℃；花魔芋適室在海拔800-2500米左右地方小長，需活動(dòng)積溫4280℃，有效積溫1089℃。
魔芋球莖在5℃左右開始萌發(fā)。適立發(fā)芽的溫度為20-25℃。高于45℃或低于0℃時(shí)，經(jīng)過5天左右芽即受害死亡。芽在15℃以下牛長緩慢，35℃以上生長迅速，但較纖弱，出葉時(shí)葉呈卷簡狀。魔芋葉片在20-30℃之間生長正常，葉綠素含量最高，光合作用亦為最佳期。低于15℃，葉片變黃，地上部倒伏。35℃時(shí)葉略褪色，葉綠素發(fā)生降解。40℃30小時(shí)、43℃24小時(shí)、45℃2小時(shí)或50℃14時(shí)，葉尖即萎蔫下垂，出現(xiàn)明顯的傷害癥狀。高溫對(duì)魔芋葉片的傷害，表現(xiàn)在葉片細(xì)胞膜透件的變化。在15—35℃范圍內(nèi)，魔芋葉片細(xì)胞電解質(zhì)外滲率變化不太。40℃處理24小時(shí)，細(xì)胞膜透性亦末見明顯變化。但43℃處理8小時(shí)后，葉片細(xì)腦膜透性顯著增加。45℃處理4小時(shí)，透性為62.98％，是對(duì)照的3倍。這說明43℃以上，魔芋葉片細(xì)胞膜極易損傷。
魔芋葉片在45℃和50℃高溫處理0-2小時(shí)，脂質(zhì)過氧化產(chǎn)物丙二醛含量迅速升高。超氧化歧化酶活性迅速下降。說明高溫導(dǎo)致膜質(zhì)過氧化，傷害細(xì)腦膜，破壞體內(nèi)的活性氧清除系統(tǒng)。魔芋球莖發(fā)育最適溫度為22-30℃，晝夜溫差愈大，愈能促進(jìn)干物質(zhì)的積累，增加產(chǎn)量，提高品質(zhì)。由此可知。魔芋葉片在一定程度上可以忍受35-43℃的高溫，但在此溫度條件下，不適于魔芋球莖干物質(zhì)的積累，不利于魔芋的栽培生產(chǎn)。如重慶市在適當(dāng)蔭蔽和保證水分供應(yīng)的條件下，魔芋雖可越過氣溫高達(dá)42℃的炎夏，但閱球莖發(fā)育期間溫度高，晝夜溫差小，魔芋的生長具“花盆效應(yīng)”，愈長愈小。魔芋球莖不耐低溫。0℃以下會(huì)引起細(xì)胞內(nèi)水分結(jié)冰，破壞細(xì)胞的結(jié)構(gòu)，使整個(gè)球莖失去生活力，如2007年冬季南方特大冰雪災(zāi)害就造成種芋的大量損失。因此，在高海拔和高緯度地區(qū)種植魔于時(shí)，要考慮凍土層的厚度。凍土層厚的地區(qū)，魔芋不能簡單露地留地越冬，必須將球莖埋于凍土層以下或采用其他防寒方式保存種芋。
魔芋根系的最適發(fā)育溫度為20-26℃。5℃以下和35℃以上，根系停止生長。綜上所述，魔芋生長最適溫度為20-25℃，適應(yīng)溫度為5-43℃。在魔芋的實(shí)際栽培生長季節(jié)內(nèi)，日平均氣溫低于12℃或高于30℃的地方，都不適宜種植魔芋*口平均氣溫在12.5-30℃的地區(qū)，均適于發(fā)展魔芋生產(chǎn)，其中日平均氣溫在17.5—25℃的地區(qū)，最適宜種植魔芋。不同種的魔芋劉溫度條件要求的高低也不相同。疚鈉魔芋、珠芽魔芋和甜魔芋分邱在滇南低海拔地區(qū)，能耐較高的溫度，是較耐熱的魔中種。白魔芋分布在金沙汀的干熱河谷流域，較花魔芋耐高溫。
由于解除休眠后魔芋在10℃以上則芽開始內(nèi)部活動(dòng)，15℃以上芽萌動(dòng)和伸長。出此魔芋解除休眠后在10℃以上的日積溫總和被稱為魔芋的活動(dòng)積溫，魔芋齊解除休眠后15℃以上的日積溫總和為有效積溫。魔芋對(duì)積溫反應(yīng)較為靈敏，當(dāng)滿足積溫后植株即倒伏，但不同的種對(duì)積溫的適應(yīng)性不完全相同，其反應(yīng)也不一樣。如白魔芋是在金沙江河谷孕臺(tái)的物種，適宜在海拔800米左右的山區(qū)種植，發(fā)芽至例苗需活動(dòng)積溫4863℃，有效積溫為1658℃；花魔芋適室在海拔800-2500米左右地方小長，需活動(dòng)積溫4280℃，有效積溫1089℃。
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